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鋰電池異常原因匯總以及鋰電池保護板故障判斷2021-03-27 08:27

鋰電池異常原因匯總,包括鋰電池容量,鋰電池內(nèi)阻,鋰電池電壓,尺寸超厚,斷路等,電池之都進行了簡單匯總并分享給大家。

1、電池容量低

產(chǎn)生原因:a.附料量偏少;b.極片兩面附料量相差較大;c.極片斷裂;d.電解液少;e.電解液電導(dǎo)率低;f.正極與負極配片未配好;g.隔膜孔隙率??;h.膠粘劑老化→附料脫落;i.卷芯超厚(未烘干或電解液未滲透)j.分容時未充滿電;k.正負極材料比容量小。

2、電池內(nèi)阻高

產(chǎn)生原因:a.負極片與極耳虛焊;b.正極片與極耳虛焊;c.正極耳與蓋帽虛焊;d.負極耳與殼虛焊;e.鉚釘與壓板接觸內(nèi)阻大;f.正極未加導(dǎo)電劑;g.電解液沒有鋰鹽;h.電池曾經(jīng)發(fā)生短路;i.隔膜紙孔隙率小。

3、電池電壓低

產(chǎn)生原因:a.副反應(yīng)(電解液分解;正極有雜質(zhì);有水);b.未化成好(SEI膜未形成安全);c.客戶的線路板漏電(指客戶加工后送回的電芯);d.客戶未按要求點焊(客戶加工后的電芯);e.毛刺;f.微短路;g.負極產(chǎn)生枝晶。

4、超厚

a.焊縫漏氣;b.電解液分解;c.未烘干水分;d.蓋帽密封性差;e.殼壁太厚;f.殼太厚;g.卷芯太厚(附料太多;極片未壓實;隔膜太厚)。

5、電池化成異常

a.未化成好(SEI膜不完整、致密);b.烘烤溫度過高→粘合劑老化→脫料;c.負極比容量低;d.正極附料多而負極附料少;e.蓋帽漏氣,焊縫漏氣;f.電解液分解,電導(dǎo)率降低。

6、電池爆炸

a.分容柜有故障(造成過充);b.隔膜閉合效應(yīng)差;c.內(nèi)部短路。

7、電池短路

a.料塵;b.裝殼時裝破;c.尺刮(隔膜紙?zhí)』蛭磯|好);d.卷繞不齊;e.沒包好;f.隔膜有洞;g.毛刺

8、電池斷路

a)極耳與鉚釘未焊好,或者有效焊點面積??;b)連接片斷裂(連接片太短或與極片點焊時焊得太靠下)

鋰電池保護板常見不良分析

一、無閃現(xiàn)、輸出電壓低、帶不起負載

此類不良首要排除電芯不良(電芯原本無電壓或電壓低),假設(shè)電芯不良則應(yīng)檢驗保護板的自耗電,看是否是保護板自耗電過大導(dǎo)致電芯電壓低。假設(shè)電芯電壓正常,則是因為保護板整個回路不通(元器件虛焊、假焊、FUSE不良、pCB板內(nèi)部電路不通、過孔不通、MOS、IC損壞等)。具體分析

過程如下:

(一)、用萬用表黑表筆接電芯負極,紅表筆依次接FUSE、R1電阻兩端,IC的Vdd、Dout、Cout端,p+端(假定電芯電壓為3.8V),逐段進行分析,此幾個檢驗點都應(yīng)為3.8V。若不是,則此段電路有問題。

1、FUSE兩端電壓有改動:檢驗FUSE是否導(dǎo)通,若導(dǎo)公例是pCB板內(nèi)部電路不通;若不導(dǎo)公例FUSE有問題(來料不良、過流損壞(MOS或IC操控失效)、質(zhì)料有問題(在MOS或IC動作之前FUSE被燒壞),然后用導(dǎo)線短接FUSE,持續(xù)往后分析。

2、R1電阻兩端電壓有改動:檢驗R1電阻值,若電阻值失常,則或許是虛焊,電阻自身開裂。若電阻值無失常,則或許是IC內(nèi)部電阻出現(xiàn)問題。

3、IC檢驗端電壓有改動:Vdd端與R1電阻相連。Dout、Cout端失常,則是因為IC虛焊或損壞。

4、若前面電壓都無改動,檢驗B-到p+間的電壓失常,則是因為保護板正極過孔不通。

(二)、萬用表紅表筆接電芯正極,激活MOS管后,黑表筆依次接MOS管2、3腳,6、7腳,p-端。

1.MOS管2、3腳,6、7腳電壓有改動,則標(biāo)明MOS管失常。

2.若MOS管電壓無改動,p-端電壓失常,則是因為保護板負極過孔不通。

二、短路無保護

1、VM端電阻出現(xiàn)問題:可用萬用表一表筆接IC2腳,一表筆接與VM端電阻相連的MOS管管腳,供認(rèn)其電阻值大小。看電阻與IC、MOS管腳有無虛焊。

2、IC、MOS失常:因為過放保護與過流、短路保護共用一個MOS管,若短路失常是因為MOS出現(xiàn)問題,則此板應(yīng)無過放保護功用。

3、以上為正常情況下的不良,也或許出現(xiàn)IC與MOS裝備不良引起的短路失常。如前期出現(xiàn)的BK-901,其型號為‘312D’的IC內(nèi)延遲時間過長,導(dǎo)致在IC作出相應(yīng)動作操控之前MOS或其它元器件已被損壞。注:其間供認(rèn)IC或MOS是否發(fā)作失常最簡易、直接的方法便是對有懷疑的元器件進行替換。

三、短路保護無自恢復(fù)

1、規(guī)劃時所用IC原本沒有自恢復(fù)功用,如G2J,G2Z等。

2、儀器設(shè)置短路恢復(fù)時間過短,或短路檢驗時未將負載移開,如用萬用表電壓檔進行短路表筆短接后未將表筆從檢驗端移開(萬用表相當(dāng)于一個幾兆的負載)。

3、p+、p-間漏電,如焊盤之間存在帶雜質(zhì)的松香,帶雜質(zhì)的黃膠或p+、p-間電容被擊穿,ICVdd到Vss間被擊穿。(阻值只有幾K到幾百K)。

4、假設(shè)以上都沒問題,或許IC被擊穿,可檢驗IC各管腳之間阻值。

四、內(nèi)阻大

1、因為MOS內(nèi)阻相對比較穩(wěn)定,出現(xiàn)內(nèi)阻大情況,首要懷疑的應(yīng)該是FUSE或pTC這些內(nèi)阻相對比較簡單發(fā)作改動的元器件。

2、假設(shè)FUSE或pTC阻值正常,則視保護板結(jié)構(gòu)檢測p+、p-焊盤與元器件面之間的過孔阻值,或許過孔出現(xiàn)微斷現(xiàn)象,阻值較大。

3、假設(shè)以上多沒有問題,就要懷疑MOS是否出現(xiàn)失常:首要供認(rèn)焊接有沒有問題;其次看板的厚度(是否簡單彎折),因為彎折時或許導(dǎo)致管腳焊接處失常;再將MOS管放到顯微鏡下觀測是否破裂;終究用萬用表檢驗MOS管腳阻值,看是否被擊穿。

五、ID失常

1、ID電阻自身因為虛焊、開裂或因電阻質(zhì)料不過關(guān)而出現(xiàn)失常:可從頭焊接電阻兩端,若重焊后ID正常則是電阻虛焊,若開裂則電阻會在重焊后從中裂開。

2、ID過孔不導(dǎo)通:可用萬用表檢驗過孔兩端。

3、內(nèi)部線路出現(xiàn)問題:可刮開阻焊漆看內(nèi)部電路有無斷開、短路現(xiàn)象。

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